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2026/05/29 08:03:19

FQD19N10LTM onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 15.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemi 81681296

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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 15.6 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

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10日出荷とは

注文コード	81681296
品番	FQD19N10LTM
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,098

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 15.6 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V シリーズ = QFET 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 6.1mm 高さ = 2.3mm QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 15.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = QFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 6.1mm
高さ = 2.3mm
QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応