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2026/05/27 03:26:10

FDN357N onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン onsemi 81681497

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onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 1.9 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81681497
品番	FDN357N
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥419

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 1.9 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 1.4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応):

対応