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| https://www.monotaro.com/p/8168/1646/ | 2026/06/12 22:35:43 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン |
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| 特長: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 9 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V シリーズ = QFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2500 mW トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 6.1mm 動作温度 Min = -55 ℃mm QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。 |
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