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2026/06/05 01:52:29

FDMA1024NZ onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 5 A 表面実装パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン onsemi 81681768

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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 5 A 表面実装パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン

5日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	81681768
品番	FDMA1024NZ
内容量	1袋(5個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥799

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V シリーズ = PowerTrench 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V 最大パワー消費 = 1.4 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V 長さ = 2mm 高さ = 0.75mm PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 1.4 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
長さ = 2mm
高さ = 0.75mm
PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応