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2026/06/27 03:12:26

FDC6305N onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン onsemi 81681856

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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2.7 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン

7日出荷とは

注文コード	81681856
品番	FDC6305N
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥819

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 2.7 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V シリーズ = PowerTrench 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V 最大パワー消費 = 960 mW トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V 幅 = 1.7mm 高さ = 1mm PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 2.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V
最大パワー消費 = 960 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
幅 = 1.7mm
高さ = 1mm
PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

RoHS指令(10物質対応):

対応