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2026/05/27 19:21:11

SI4532DY onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A、3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン onsemi 81681987

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onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A、3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

5日出荷とは

注文コード	81681987
品番	SI4532DY
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,798

特長：	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 4mm 動作温度 Min = -55 ℃mm 強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

特長：

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 3.5 A、3.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 m Ω 、 190 m Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

RoHS指令(10物質対応)：

対応