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2026/06/02 05:41:55

MTP3055VL onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン onsemi 81682450

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onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81682450
品番	MTP3055VL
内容量	1セット(50個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥7,898

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 12 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = TO-220 実装タイプ = スルーホールピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 48 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V 標準ゲートチャージ @ Vgs = 7.8 nC @ 5 Vmm 高さ = 16.51mm Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 12 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = TO-220
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 48 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 7.8 nC @ 5 Vmm
高さ = 16.51mm
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

RoHS指令(10物質対応):

対応