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| https://www.monotaro.com/p/8168/2520/ | 2026/06/05 17:28:04 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン |
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| 特長: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 115 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V パッケージタイプ = SOT-363 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 6 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 200 mW トランジスタ構成 = 絶縁型 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 1.25mm 動作温度 Min = -55 ℃mm 強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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