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| https://www.monotaro.com/p/8168/2730/ | 2026/06/01 20:01:21 |
 | onsemi onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 540 mA 表面実装 パッケージSOT-563 6 ピン |
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| 特長: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 540 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V パッケージタイプ = SOT-563 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 6 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 1V 最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V 最大パワー消費 = 250 mW 最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V 幅 = 1.3mm 動作温度 Min = -55 ℃mm 20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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