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2026/05/28 23:44:11

FDT86113LZ onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン onsemi 81682800

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onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.3 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン

5日出荷とは

注文コード	81682800
品番	FDT86113LZ
内容量	1セット(4000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥289,800

特長:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 3.3 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V シリーズ = PowerTrench 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 189 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.2 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 6.7mm 高さ = 1.7mm Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応):	対応

特長:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 3.3 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
シリーズ = PowerTrench
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 189 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.2 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 6.7mm
高さ = 1.7mm
Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

RoHS指令(10物質対応):

対応