G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン) - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>制御機器・PLC・リレー>リレー>ソリッドステート・リレー -

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2026/09/09 07:26:14

G3VM-41QR10 G3VM-201G□ / S5 omron(オムロン) 82912588

omron(オムロン)
G3VM-201G□ / S5

出荷目安：81日

81日出荷とは

注文コード	82912588
品番	G3VM-41QR10
内容量	1個
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,498

特長:	L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献負荷電圧 20V/40V/60V 低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準) 高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大) 高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃) L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献負荷電圧 20V/40V/60V 低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準) 形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準) 形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準) 形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準) 形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準) 高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大) 形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大) 形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大) 高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

特長:

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献
負荷電圧 20V/40V/60V
低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)
高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)
高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)
L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献
負荷電圧 20V/40V/60V
低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮
形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)
形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)
形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)
形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)
形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)
高速応答性を実現
形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)
形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)
形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)
高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)