Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/30 21:02:21

BSS123NH6327XTSA1 Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON 83830926

INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

7日出荷とは

注文コード	83830926
品番	BSS123NH6327XTSA1
内容量	1セット(3000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥22,980

特長:	Infineon OptiMOS小信号MOSFET
仕様:	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 190 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V 最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V 最大パワー消費 = 500 mW トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 1.3mm 高さ = 1mm

特長:

Infineon OptiMOS小信号MOSFET

仕様:

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 190 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大パワー消費 = 500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 1.3mm
高さ = 1mm