Infineon N， Pチャンネル MOSFET25 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

2026/05/31 04:34:12

INFINEON
Infineon N， Pチャンネル MOSFET25 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

単価(税別)

￥229,800

特長:	デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様:	チャンネルタイプ = N， P 最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ， 400 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2 W トランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 4mm 高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応):	対応