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| https://www.monotaro.com/p/8383/1915/ | 2026/05/24 07:57:25 |
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INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 6.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン |
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| 特長: | NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| 仕様: |
チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 6.3 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V 最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V 最大パワー消費 = 1.3 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V 標準ゲートチャージ @ Vgs = 8.9 nC @ 4.5 Vmm 高さ = 1.02mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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