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| https://www.monotaro.com/p/8383/2484/ | 2026/05/24 03:56:39 |
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INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 660 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン |
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| 特長： | Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET |
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| 仕様： |
チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 660 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V パッケージタイプ = SOT-223 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ω チャンネルモード = デプレッション型 最大ゲートしきい値電圧 = 1V 最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V 最大パワー消費 = 1.8 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 動作温度 Max = +150 ℃mm 高さ = 1.6mm |
| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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