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| https://www.monotaro.com/p/8383/3105/ | 2026/05/29 07:33:47 |
 | INFINEON Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
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| 特長: | デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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