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| https://www.monotaro.com/p/8383/3997/ | 2026/05/23 23:59:11 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン |
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| 特長: | NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 18 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 150 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 1チップ当たりのエレメント数 = 1mm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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