Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/22 22:40:44

SI4435DYTRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン INFINEON 83843666

INFINEON
Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン

7日出荷とは

注文コード	83843666
品番	SI4435DYTRPBF
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥1,198

特長：	PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様：	チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 8 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V シリーズ = Si4435DYPbF 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.5 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V 動作温度 Max = +150 ℃mm 高さ = 1.5mm

特長：

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様：

チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = Si4435DYPbF
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 0
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 2.5 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V
動作温度 Max = +150 ℃mm
高さ = 1.5mm