|
|
|
| https://www.monotaro.com/p/8384/3675/ | 2026/05/24 04:31:32 |
|
INFINEON
Infineon Pチャンネル MOSFET250 V 430 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン |
|
|
| 特長： | Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応 |
|---|---|
| 仕様： |
チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 430 mA 最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V シリーズ = SIPMOSR 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 2V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 1.8 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V トランジスタ素材 = Simm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |
