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| https://www.monotaro.com/p/8384/3684/ | 2026/07/05 18:22:41 |
 | INFINEON Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1 |
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| 特長: | SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。 |
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| 仕様: | トランジスタタイプ = NPN 最大DCコレクタ電流 = 25 mA 最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 V パッケージタイプ = SOT-343 実装タイプ = 表面実装 最大パワー消費 = 100 mW トランジスタ構成 = シングル 最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V 最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 V ピン数 = 4 1チップ当たりのエレメント数 = 1 動作温度 Max = +150 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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