 | |
| https://www.monotaro.com/p/8384/4384/ | 2026/07/16 00:21:21 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン |
|
|
| 特長: | Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。 |
|---|---|
| 仕様: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 1.2 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 480 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 1.25 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V トランジスタ素材 = Simm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| Copyright 2000-2026MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |