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2026/05/22 17:46:58

INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

単価(税別)

￥38,980

特長：	Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 1.2 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 480 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 1.25 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V トランジスタ素材 = Simm 動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)：	対応