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| https://www.monotaro.com/p/8384/4400/ | 2026/05/24 15:06:01 |
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INFINEON
Infineon Pチャンネル MOSFET12 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン |
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| 特長： | Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。 |
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| 仕様： |
チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 4.3 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 0.95V 最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V 最大パワー消費 = 1.3 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V 標準ゲートチャージ @ Vgs = 10 nC @ 5 Vmm 高さ = 1.02mm |
| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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