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IRFR5305TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON 83844689
INFINEON
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は159,800円となります。
注文コード83844689
品番IRFR5305TRPBF
内容量1セット(2000個)
参考基準価格(税別)オープン
単価(税別)
¥129,800
特長:Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様:チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 31 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 110 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応):対応
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