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| https://www.monotaro.com/p/8384/4960/ | 2026/07/14 04:22:17 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル MOSFET80 V 3.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
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| 特長: | Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 3.6 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V パッケージタイプ = SOIC 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 73 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 2 W トランジスタ構成 = 絶縁型 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 動作温度 Max = +150 ℃mm 高さ = 1.5mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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