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| https://www.monotaro.com/p/8384/5337/ | 2026/07/11 22:14:26 |
 | INFINEON Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン |
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| 特長: | PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 4.9 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 8 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 98 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 1V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2 W トランジスタ構成 = 絶縁型 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 幅 = 4mm 高さ = 1.5mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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