|
|
|
| https://www.monotaro.com/p/8384/5346/ | 2026/05/17 20:19:20 |
|
INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 4.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン |
|
|
| 特長： | インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。 |
|---|---|
| 仕様： |
チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 4.4 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V パッケージタイプ = SOT-223 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 2V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.1 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V 1チップ当たりのエレメント数 = 1mm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
| Copyright 2000-2026 MonotaRO Co.,Ltd. All Rights Reserved. 株式会社MonotaRO（ものたろう） |
