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| https://www.monotaro.com/p/8384/5364/ | 2026/07/05 01:06:19 |
 | INFINEON Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン |
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| 特長: | Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 11 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 38 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 1チップ当たりのエレメント数 = 1mm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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