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| https://www.monotaro.com/p/8384/6579/ | 2026/05/25 07:09:35 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 2.8 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン |
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| 特長: | インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 2.8 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 2V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 2.1 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V 長さ = 6.7mm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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