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IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON 83846640
INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
注文コード83846640
品番IPD80R1K4CEATMA1
内容量1セット(2500個)
参考基準価格(税別)オープン
単価(税別)
¥229,800
特長:Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。RoHS に準拠しています
仕様:チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 3.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 800 V
シリーズ CoolMOS(TM) CE
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω
最大ゲートしきい値電圧 3.9V
1チップ当たりのエレメント数 1
RoHS指令(10物質対応):対応
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