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| https://www.monotaro.com/p/8384/7288/ | 2026/05/27 20:41:34 |
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INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン |
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| 特長： | Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。 |
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| 仕様： |
チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 270 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.8 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V 最低ゲートしきい値電圧 = 1V 最大パワー消費 = 380 W 最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V 動作温度 Max = +175 ℃ 高さ = 9.65mm |
| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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