Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 522 A 表面実装パッケージD2PAK-7 7 ピン INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/05/22 08:54:06

IRFS7430TRL7PP Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 522 A 表面実装パッケージD2PAK-7 7 ピン INFINEON 83848137

INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 522 A 表面実装パッケージD2PAK-7 7 ピン

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は269,800円となります。

注文コード	83848137
品番	IRFS7430TRL7PP
内容量	1セット(800個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥229,800

特長：	NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様：	チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 522 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V パッケージタイプ = D2PAK-7 実装タイプ = 表面実装ピン数 = 7 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 μΩ チャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V 最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V 最大パワー消費 = 375 W トランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 動作温度 Max = +175 ℃mm 順方向ダイオード電圧 = 1.2V

特長：

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様：

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 522 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = D2PAK-7
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 7
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 μΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V
最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V
最大パワー消費 = 375 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
動作温度 Max = +175 ℃mm
順方向ダイオード電圧 = 1.2V