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| https://www.monotaro.com/p/8384/8995/ | 2026/07/03 15:00:50 |
 | INFINEON Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン |
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| 特長: | PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = P 最大連続ドレイン電流 = 38 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V シリーズ = HEXFET 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 4V 最低ゲートしきい値電圧 = 2V 最大パワー消費 = 170 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V 標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm 動作温度 Min = -55 ℃mm |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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