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| https://www.monotaro.com/p/8441/2136/ | 2026/05/26 01:09:31 |
 | アズワン 4インチSICウェハ 研究用 |
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| 特長: | 研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。 |
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| 注意: | ●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。 |
| 仕様: | ●Surface orientation error：(11-20)4±0.15°●ドーパント：n-type●1次オリフラ：[1-100]±5°●TTV：≦5μm●Bow：-15～15μm●Warp：≦20μm●マイクロパイプ：≦1ea/cm2●ブラックレーザーマーキング：1mm(from top edge)●BPD：≦2000ea/cm2●TSD：≦500ea/cm2 |
| 長さ(mm): | 【1次オリフラ】32.5±1.5、【2次オリフラ】18±1.5 |
| 直径(Φmm): | 99.5～100 |
| タイプ: | 4H |
| 入数(枚): | 10 |
| グレード: | Production |
| 厚さ(μm): | 350±25 |
| アズワン品番: | 67-3018-27 |
| 表面粗さ(μm): | (Si-face)Ra≦0.0002(5μm×5μm) |
| 表面仕上げ: | Si面 CMP Si-faceCMP |
| 抵抗値(Ω): | 0.015～0.025 |
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