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特長：
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様：
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●Surface orientation error：(11-20)4±0.15°●ドーパント：n-type●1次オリフラ：[1-100]±5°●TTV：≦5μm●Bow：-15〜15μm●Warp：≦20μm●マイクロパイプ：≦1ea/cm2●ブラックレーザーマーキング：1mm(from top edge)●BPD：≦2000ea/cm2●TSD：≦500ea/cm2
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注意：
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●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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長さ(mm)：
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【1次オリフラ】32.5±1.5、【2次オリフラ】18±1.5
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直径(Φmm)：
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99.5〜100
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タイプ：
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4H
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入数(枚)：
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1
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グレード：
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Production
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厚さ(μm)：
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350±25
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アズワン品番：
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67-3018-24
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表面粗さ(μm)：
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(Si-face)Ra≦0.0002(5μm×5μm)
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表面仕上げ：
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Si面 CMP Si-faceCMP
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抵抗値(Ω)：
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0.015〜0.025
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