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| https://www.monotaro.com/p/8445/5414/ | 2026/06/06 13:41:21 |
 | IV-SemiteC 単結晶SiCウェハ 8インチ・4H-N ダミーグレード |
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| 特長: | 高品質の単結晶SiCウェハ |
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| 仕様: | ●結晶タイプ： 4H-SiC●導電型： Nタイプ●グレード： ダミー●直径： 200.0mm ± 0.2mm (8インチ)●厚さ： 500 μm±25 μm●オフ角度： [11-20]に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD)： 10 個/cm-2 以下●比抵抗値： 0.015～0.028Ω-cm (75%面積)●ノッチ方位： [1-100]±5.0°、深さ 1.0～1.5mm●面方位： {0001}± 0.2°●反り： LTV≦10μm(10*10mm2)、TTV≦15 μm、BOW≦65μm、WARP≦70 μm●表面仕上げ： 両面CMP、Si面Epi Ready (Si面 Ra≦0.5 nm)●エッジクラック： N/A●結晶多形： 累積面積≦5%●エッジチッピング： N/A●レーザーマーク： C面(裏面)側に有り●梱包形態： シングルウエハケースに1枚毎に梱包 |
| 材質: | 炭化ケイ素 |
| グレード: | ダミー |
| 仕上: | CMP |
| アズワン品番: | 68-4088-78 |
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