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| https://www.monotaro.com/p/8449/9925/ | 2026/06/09 21:55:15 |
 | INTERNATIONAL RECTIFIER International Rectifier Nチャンネル MOSFET20 V 4.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン |
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| 特長: | NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| 仕様: | チャンネルタイプ = N 最大連続ドレイン電流 = 4.2 A 最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V パッケージタイプ = SOT-23 実装タイプ = 表面実装 ピン数 = 3 最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ チャンネルモード = エンハンスメント型 最大ゲートしきい値電圧 = 1.2V 最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V 最大パワー消費 = 1.25 W トランジスタ構成 = シングル 最大ゲート-ソース間電圧 = ±12 V 動作温度 Max = +150 ℃ 順方向ダイオード電圧 = 1.2V |
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