「ピンタイプ」の検索結果

アンプタイプ = オーディオ。出力タイプ = シングルエンド。最大電力 = 14W。実装タイプ = スルーホール。電源タイプ = デュアル電源。パッケージタイプ = MULTIWATT V。ピン数 = 11。入力信号タイプ = シングル。出力信号タイプ = シングルエンド。動作温度 Min = 0 ℃mm。クラスABオーディオパワーアンプ、STMicroelectronics. モノラル、ステレオ及びマルチチャンネルのソリューション 幅広い出力オプション

アンプタイプ = オーディオ。出力タイプ = 1チャンネルモノ。最大電力 = 80W。実装タイプ = スルーホール。電源タイプ = デュアル電源。パッケージタイプ = MULTIWATT V。ピン数 = 15。入力信号タイプ = 差動。出力信号タイプ = シングルエンド。寸法 = 19.6 x 5 x 10.7mm。クラスABオーディオパワーアンプ、STMicroelectronics. モノラル、ステレオ及びマルチチャンネルのソリューション 幅広い出力オプション

インターフェース = ラインドライバIC。トランスミッタ数 = 4 (RS-422)。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.65mm。RS-422ラインドライバ / レシーバ、STMicroelectronics

ロジックタイプ = CMOS， TTL。出力電流 = 0.65 A。供給電圧 = 17V。ピン数 = 14。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハーフブリッジ。高/低サイド依存性 = 独立。ドライバ数 = 2。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 100 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-220FPmA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。長さ = 10.4mm。負電圧リニアレギュレータ、STMicroelectronics. 標準の負電圧レギュレータは、非常に安定した信頼性の高い動作を実現し、短絡と熱的過負荷から保護する機能を備えています。 多様な電圧調整の用途に適しています。

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 36。動作供給電圧 Min = 8 V。幅 = 11.1mm。ブラシDCモータドライバ、STMicroelectronics

モータタイプ = ステッパ。トポロジー = バイポーラ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 38。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。寸法 = 16 x 11.1 x 3.3mm。ステッパモータドライバ、 STMicroelectronics

出力電流 Max = 1A。出力電圧 Max = 34 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.235 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 36 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。スイッチングレギュレータ = あり。ラインレギュレーション = 10 mV。ロードレギュレーション = 15 mV。寸法 = 5 x 4 x 1.25mm。DC-DC Switching Converters， Step-Down Regulators， STMicroelectronics. STのモノリシックスイッチングレギュレータは、高入力電圧対応で、最大4 Aの電流を出力し、高スイッチング周波数となっています。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 3.3 V。ラインレギュレーション = 6 mV。ロードレギュレーション = 10 mV%。極性 = 正。静止電流 = 5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.2mm。リニア電圧レギュレータ、800 mA、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 25 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。動作温度 Max = +150 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 2.5 V。ラインレギュレーション = 12 mV。ロードレギュレーション = 12 mV%。極性 = 正。静止電流 = 0.5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。高さ = 2.4mm。長さ = 6.6mm。LDO (低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、250 → 500 mA

最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 20 mV%。極性 = 正。静止電流 = 4mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.2mm。LDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、800 mA → 1 A

最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

ファミリー名 = STM32F3。パッケージタイプ = UFQFPN。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。デバイスコア = ARM Cortex-M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 16 kB。USBチャンネル = 1。SPIチャンネル数 = 2。CANチャンネル数 = 1。幅 = 5.1mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.45V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns

ファミリー名 = STM32F3。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex-M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 256 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 32 kB。USBチャンネル = 1。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V。幅 = 14.2mm

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

最大破壊電流 = 0.015mA。最大破壊電圧 = 34V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。高さ = 2mm。DIACダイオード

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

メモリサイズ = 1kbit。インターフェースタイプ = シリアル-I2C。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 64 K x 16ビット。動作供給電圧 Min = 2.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 16bit。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。ワード数 = 64k

データ形式 = DW:DM:M:Y。時刻表示形式 = HH:MM:SS。ユーザーRAM = 8B。バスタイプ = シリアル2線、シリアルI2C。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.25mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.25mm。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。リアルタイムクロックペリフェラル、STMicroelectronics

電源スイッチの種類 = ソリッドステートリレー。オン抵抗 = 0.4Ω。動作供給電圧 Max = 45 V。最大動作電流 = 0.7A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 10。動作温度 Max = +150 ℃。寸法 = 9.5 x 7.6 x 3.65mm。インテリジェントハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. インテリジェント電源スイッチ(IPS)には、ロジックインターフェイス、ドライバ、制御セクションの診断 / 保護機能、ハイサイド構成用のパワーステージが集積されています。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 190 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 5.15mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 150 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 15.75mm。高さ 20.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 1V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 6.2mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

ファミリー名 = STM32F3。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = ARM Cortex M4。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 256 KB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 40 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 1。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 2. →3.6 V。ADC数 = 22 x 12 ビットmm

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 900 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 140 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 9.35mm。動作温度 Min -55 ℃mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh， SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics