「低電圧」の検索結果

MKT 1813シリーズ。用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

MKT 1813シリーズ。用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

MKT 1813シリーズ。用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

MKT 1822シリーズ。用途は、回路のブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング / デカップリング、低電圧用途における干渉抑制など

CPFシリーズ(1 W → 3 W)。金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性。特長。高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

CPFシリーズ(1 W → 3 W)。金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性。特長。高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

静電容量 = 100nF。電圧 = 160 V ac， 250 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = MKT 1813。長さ = 14mm。温度特性 = メタライズドポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Min = -55℃。MKT 1813シリーズ. 用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 3W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。動作温度 Max = +230℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 100kΩ。定格電力 = 3W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

静電容量 = 1μF。電圧 = 63 V ac， 100 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±5%。シリーズ = MKT 1813。リード間隔 = 26.5mm。長さ = 19mm。寸法 = 8.5 (Dia.) x 19mm。温度特性 = メタライズドポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Max = +100℃。MKT 1813シリーズ. 用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = S102J。リード間隔 = 3.81mm。S102Jシリーズ高精度金属箔抵抗器. SシリーズのBMF抵抗器は、低TCR、優れた負荷寿命安定性、精密な許容公差、高速応答時間、低電流ノイズ、低熱 EMF 、低電圧係数を実現します。 無誘導性の非静電容量型設計

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。動作温度 Max = +230℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 2W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属皮膜。シリーズ = CPF。温度係数 = ±100ppm/℃。動作温度 Min = -65℃。CPFシリーズ(1 W → 3 W). 金属皮膜抵抗器、アキシャル、産業用電源、精密、耐炎性. 特長. - 高い定格電力、小型 -耐炎性、耐熱性シリコーンコーティング ・特殊な撮影・塗装工程 - 優れた高周波特性 - 低ノイズ - 低電圧係数

抵抗 = 350Ω。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = S102J。リード間隔 = 3.81mm。S102Jシリーズ高精度金属箔抵抗器. SシリーズのBMF抵抗器は、低TCR、優れた負荷寿命安定性、精密な許容公差、高速応答時間、低電流ノイズ、低熱 EMF 、低電圧係数を実現します。 無誘導性の非静電容量型設計

抵抗 = 250Ω。定格電力 = 0.6W。許容差 = ±0.01%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = S102J。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 3.81mm。S102Jシリーズ高精度金属箔抵抗器. SシリーズのBMF抵抗器は、低TCR、優れた負荷寿命安定性、精密な許容公差、高速応答時間、低電流ノイズ、低熱 EMF 、低電圧係数を実現します。 無誘導性の非静電容量型設計

静電容量 = 220nF。電圧 = 63 V ac， 100 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = MKT 1813。リード間隔 = 26.5mm。長さ = 14mm。寸法 = 6 (Dia.) x 14mm。温度特性 = メタライズドポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Max = +100℃。MKT 1813シリーズ. 用途は、低電圧回路におけるブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング/デカップリング、干渉抑制など

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-219AD。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。超低プロファイル - 高さ0.65 mm (標準) 自動位置決めに最適 低順方向電圧降下、低電力損失 用途: 低電圧高周波インバータ、還流、DC-DCコンバータ、極性保護などの用途で使用

静電容量 = 10nF。電圧 = 220 V ac， 630 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = MKT 1822。リード間隔 = 10mm。長さ = 13mm。奥行き = 4mm。高さ = 9mm。寸法 = 4 x 9 x 13mm。温度特性 = ポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Min = -55℃。MKT 1822シリーズ. 用途は、回路のブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング / デカップリング、低電圧用途における干渉抑制など

静電容量 = 1μF。電圧 = 63 V ac， 100 V dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±10%。シリーズ = MKT 1822。リード間隔 = 15mm。長さ = 18mm。奥行き = 7.5mm。高さ = 13.5mm。寸法 = 7.5 x 13.5 x 18mm。温度特性 = ポリエステル。末端仕様 = スルーホール実装。動作温度 Min = -55℃。MKT 1822シリーズ. 用途は、回路のブロッキング、バイパス、フィルタリング、タイミング、カップリング / デカップリング、低電圧用途における干渉抑制など

フォトトライアック付き Vishay オプトカプラは、光学的に結合された GaAs IRLED から、ノイズ抑制機能と非ゼロクロッシング機能を備えた感光性サイリスタシステムで構成されています。サイリスタシステムは、1 mA の低トリガ電流を実現し、10 kV/ μ s 以上の dV/dt 比と最大 800 V の負荷電圧を備えていますIL420 及び IL4208 は、低電圧ロジックを高電圧 120 V ac、240 V ac、380 V ac ラインから絶縁し、モータ、ソレノイド、高電力サイリスタ、トライアックやソリッドステートリレーなどの抵抗、誘導、静電容量の AC 負荷を制御する最適なマイクロコントローラに適したソリューションです。RoHS 指令(2022年10月現在)、に準拠しています SMD-6 パッケージに収容されています

フォトトライアック付き Vishay オプトカプラは、光学的に結合された GaAs IRLED から、ノイズ抑制機能と非ゼロクロッシング機能を備えた感光性サイリスタシステムで構成されています。サイリスタシステムは、1 mA の低トリガ電流を実現し、10 kV/ μ s 以上の dV/dt 比と最大 800 V の負荷電圧を備えています低電圧ロジックを高電圧 120 V ac、240 V ac、380 V ac ラインから絶縁し、モータ、ソレノイド、高電力サイリスタ、トライアック、ソリッドステートリレーなどの抵抗、誘導、又は静電容量の AC 負荷を制御する、最適なマイクロコントローラに適したソリューションです。RoHS 指令(2022年10月現在)、に準拠しています SMD-6 パッケージに収容されています

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 60V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 750mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V

静電容量 = 5μF。電圧 = 1.25kV dc。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP386M。リード間隔 = 43mm。長さ = 58mm。奥行き = 35mm。等価直列抵抗 = 2.5mΩ。寸法 = 58 x 35 x 50mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = ねじ取り付け。動作温度 Min = -50℃。MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど

静電容量 = 1μF。電圧 = 2kV dc。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP386M。リード間隔 = 43mm。長さ = 58mm。奥行き = 30mm。等価直列抵抗 = 4mΩ。寸法 = 58 x 30 x 45mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = ねじ取り付け。動作温度 Max = +85℃。MKP386Mシリーズ. 低クランプ電圧と電流リンギングによりEMIを低減 高パルス強度(dV/dtは最大2500 V/μs) 低インダクタンス構造(低ESL) 低ESR IGBTモジュールへの直接取り付け用 用途: 光電及び風力インバータ、モータドライブ、周波数コンバータなど

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 600V。シリーズ 1N4005。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 50V。シリーズ 1N4001。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

高電圧クラス2セラミックDCディスクコンデンサ、10→40kVdc/3.5→14kVac、ねじ止めTerminal取り付けクラス2セラミック(Y5U)低インダクタンス高い絶縁抵抗用途高電圧電源CO2レーザーX線機器

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 20A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 630mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220F。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 630mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBSR)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220F。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 640mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 680mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-221AC。最大連続 順方向電流 = 5A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 560mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-221BC。最大連続 順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 590mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TO-277A。最大連続 順方向電流 = 10A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 620mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180A。TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-204AL。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 200V。シリーズ 1N4003。整流タイプ 汎用。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 45A。Vishay 1N4001-1N4007汎用プラスチック整流器. Vishay 1N4001 1N4007 シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。これらの製品は、25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。 特長： 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 何に使用しますか? 1N4001 1N4007シリーズは、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。汎用用途向けに設計されているため、さまざまな可能性があります。 動作時のジャンクション温度 -50 +150℃ 種類(ピーク繰り返し逆電圧あり)： 1N4001-50 1N4002 100 1N4003-200 1N4004-400 1N4005 600 1N4006-800 1N4007-1000 V

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ソフトリカバリー。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。直径 = 3.6mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示