「8ω」の検索結果

抵抗 = 8Ω。定格電力 = 50W。シリーズ = RH。許容差 = ±1%。テクノロジー = 巻線。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +250℃。最小温度係数 = -50ppm/℃。最大温度係数 = +50ppm/℃。定格電力は300 x 300 x 1.5 mmのアルミパネルに実装された抵抗器をベースとしています。非実装定格は20 W @ 25 ℃です。 定格電力については、メーカーのデータを参照してください。. 50 W RH050シリーズ±1 %. Vishay RH050シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. 特長と利点. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 総合的な環境保護性能を提供する成形構造 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 8Ω。定格電力 = 25W。シリーズ = RH。パッケージ/ケース = アルミハウジング。許容差 = ±1%。テクノロジー = 巻線。終端スタイル = ラジアル。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +250℃。最小温度係数 = -50ppm/℃。最大温度係数 = +50ppm/℃。25 W RH025シリーズ±1 %. Vishay RH025シリーズ巻線型シャーシ取り付け抵抗器は、アルミハウジング全体が溶接及び成形された構造になっており、環境全体を保護します。 これらの抵抗器は直接シャーシに取り付けられ、シートシンク効果を利用します。 この巻線型抵抗器製品は従来の定格電力で高い安定性を実現し、表面には簡単に識別できるフラットマークが付いています。. シートシンク効果を利用したシャーシ取り付け 成形構造により、環境全体を保護 高い安定性: ；0.05 %/年 抵抗値許容差: 1 %

抵抗 = 8mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL...18 High Power。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2010型WSL..18シリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成 厳選された安定素材により高い定格電力を実現(2 x 標準WSL定格) 総溶接構造

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 8W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 巻線。シリーズ = RWM 6x34。パッケージ/ケース = 0634。温度係数 = ±75ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。RWM 6x34シリーズ8 W、軸. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性

RWM6x34シリーズ8W、軸。エナメル塗装巻線型電力抵抗器アキシャルリード線耐火性

抵抗 = 15kΩ。定格電力 = 8W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 巻線。シリーズ = RWM 6x34。パッケージ/ケース = 0634。動作温度 Max = +200℃。動作温度 Min = -55℃。RWM 6x34シリーズ8 W、軸. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 8Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

抵抗 34.8kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 17.8kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

静電容量 = 10μF。電圧 = 1.2kV dc。実装タイプ = スルーホール。許容差 = ±5%。シリーズ = MKP1848C。リード間隔 = 37.5mm。長さ = 42mm。奥行き = 24mm。等価直列抵抗 = 8mΩ。寸法 = 42 x 24 x 44mm。温度特性 = ポリプロピレン。末端仕様 = スルーホール実装。リード径 = 1mm。MKP 1848Cシリーズ. MKP 1848Cシリーズは高密度のDCリンクコンデンサです 高リプル電流対応、低ESR、低ESL 用途: 再生可能エネルギーインバータUPS、バッテリ充電器、モータ駆動

静電容量 = 33000μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = スクリューターミナル。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 65 (Dia.) x 105mm。高さ = 105mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 65mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 20000h。等価直列抵抗 = 8mΩ。106 PED-STシリーズ. Vishayの106 PED-STシリーズの電解コンデンサは、+85 ℃で最長20，000時間の長寿命を誇ります。また、ESRとESLがとても低いので、非常に高いリプル電流負荷に対応します。 これらのアルミ電解コンデンサは、絶縁された円筒ケースに密閉された非電解質で構成されており、充電と放電を防止します。 幅広い用途に対応し、フィルタリングと平滑化、パルスシステムにおける蓄電、産業システム、標準電源とスイッチモード電源、コンピュータと通信を含む用途に適しています。. 標準及びスイッチモードの電源に最適なPower Eurodinねじ端子 低ESR 低ESL 振動と衝撃に対する優れた耐性 高信頼性 シーリングによる圧力逃しを実現

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = ThunderFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 5.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1.56 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = PowerPAK SO-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 29.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.26mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 4.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.55mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.78 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

シリーズ = NTCS0603E3.....T。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -3.98%/℃。熱時定数 = 8s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 125mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm。NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

シリーズ = NTCS0603E3.....T。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -3.98%/℃。熱時定数 = 8s。抵抗@ 25℃ = 10kΩ。許容差 = ±5%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 125mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.8mm。動作温度 Min = -40℃。NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

シリーズ = NTCS0603E3.....T。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -3.81%/℃。熱時定数 = 8s。抵抗@ 25℃ = 2kΩ。許容差 = ±5%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 125mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.8mm。動作温度 Min = -40℃。NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

シリーズ = NTCS0603E3.....T。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -4.28%/℃。熱時定数 = 8s。抵抗@ 25℃ = 4.7kΩ。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 125mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm。NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

シリーズ = NTCS0603E3.....T。温度係数のタイプ = NTC。熱係数 = -4.52%/℃。熱時定数 = 8s。抵抗@ 25℃ = 100kΩ。許容差 = ±5%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 125mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.8mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm。NTCS0603E3...Tシリーズガラス保護NTCサーミスタ. NiSn端子 全体をガラスコートで保護 ウェーブ又はリフローはんだ付けに最適 用途: 自動車、産業、通信、消費者用途の温度検出、保護及び補正

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.55mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 11W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 巻線。シリーズ = RWM 8x45。パッケージ/ケース = 0845。動作温度 Max = +200℃。動作温度 Min = -55℃。RWM 8 x 45シリーズ、11 W. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 11W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 巻線。シリーズ = RWM 8x45。パッケージ/ケース = 0845。温度係数 = +75ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。RWM 8 x 45シリーズ、11 W. エナメル塗装巻線型電力抵抗器 アキシャルリード線 耐火性