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標準ツェナー電圧 = 36V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

汎用ガラス封止アバランシェダイオード。ガラスパシベーションジャンクション。密閉パッケージ。低逆電流。AEC-Q101認定

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1500V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-64。最大連続 順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 90A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 45mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.015%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 35mA。最大ツェナーインピーダンス = 4Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = 0.033%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1300 mW。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 80mA。最大ツェナーインピーダンス = 20Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

シリーズ = PTCCL-265V。温度係数のタイプ = PTC。抵抗@ 25℃ = 8.4Ω。許容差 = ±20%。奥行き = 12.5mm。高さ = 5.5mm。動作温度 Min = 0℃。265 V PTCサーミスタ(過負荷保護用)特長 幅広いトリップ電流と非トリップ電流: 11 → 800 mA トリップ電流と非トリップ電流の比率が小さい(It/Int = 1.5 @ 25 ℃) 高い最大突入電流(最大5.5 A) 用途 過負荷(電流、電圧、温度)の保護: 産業電子機器 家庭用電化製品

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 110Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined