仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 490mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-128ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 360mV長さ = 4mm幅 = 2.7mm高さ = 1.1mm動作温度 Max = +150 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、1 → 1.5 A、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
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