「1.4mm」の検索結果

標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm。高さ = 1mm。長さ = 3.05mm。幅 = 1.4mm。電流検出アンプ、DiodesZetex

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 3mm。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 12mA。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 8 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 4.096V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 4.05 V。出力電圧 Max = 4.14 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。4.096 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.214 V。出力電圧 Max = 1.226 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 12mA。出力電圧 Min = 1.213 V。出力電圧 Max = 1.237 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 40 V。出力電圧 Min = 2.5 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 2.475 V。出力電圧 Max = 20 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 18 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

最大順方向電流 = 215mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 85V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 250mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 150V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 500mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。シングルチャンネルデータライン保護TVSダイオード、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 130 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 170 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 720 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 225 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.1 x 3 x 1.4mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 500 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V。最大パワー消費 = 1.08 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 900 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 5000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.65 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.96 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA。幅 = 1.4mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

出力電流 Max = 50mA。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 15 mV。ロードレギュレーション = 40 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定W。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。幅 = 1.4mm。ZMRシリーズリニア電圧レギュレータ、Diodes Inc. Diodes Inc の ZMR シリーズ正電圧レギュレータは、固定電圧調整向けに設計されています。 この堅牢な電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウン機能を特長としています。 Diodes Inc のリニアレギュレータは、低電力マイクロコントローラでの使用や、DVD、CD-ROM、セットトップボックス、テレビ、モニタ、セキュリティシステムなどのエレクトロニクス分野に最適です。. 3端子正レギュレータ SOT23小型パッケージ 出力電圧: 2.5 V、3.3 V又は5 V 出力電流: 50 mA 超低静止電流(2.5 V @ 30 μA) 内部短絡保護

電圧管理タイプ = マイクロプロセッサリセットモニタ。管理数 = 1。出力ドライバ = アクティブ ロー， プッシュプル。実装タイプ = 表面実装ms。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。最大リセット閾値電圧 = 4.72V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃V。マイクロプロセッサ監視 / リセット回路、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 18 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.196 V。出力電圧 Max = 1.244 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = ESDサプレッサ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 480Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = 0.005%/℃。ツェナーダイオード300 mW、AZ23Cシリーズ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。汎用PNPトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 350 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード350 mW、BZX84Cシリーズ、Diodes Inc. ツェナー電圧公差: 6 % 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7mA。最大ツェナーインピーダンス = 21Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード200 mW、MMBZ52xxBシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100Ω。最大逆漏れ電流 = 150μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 600 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、BZT52C..Sシリーズ、Diodes Inc. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)