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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
44,980 税込49,478
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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
28,980 税込31,878
5日以内出荷





仕様ダイオード構成:アレイ 、 最大クランピング電圧:7.5V 、 最小ブレークダウン電圧:7V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOT-23 、 最大逆スタンドオフ電圧:5.5V 、 ピン数:3 、 ピークパルスパワー消費:0.3W 、 最大ピークパルス電流:12A 、 ESD保護:あり 、 1チップ当たりのエレメント数:5 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 幅:1.4mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)ほか
1,398 税込1,538
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