「sc60」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 3 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -150 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 60。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -160 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 80， 60。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc