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ドライバ数 = 28。入力タイプ = LVTTL。出力タイプ = LVDS。トランスミッションデータレート = 2.38Gbps。1チップ当たりのエレメント数 = 4。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 56。差動入力高閾値電圧 = 100mV。差動入力低閾値電圧 = -100mV。寸法 = 14 x 6.1 x 1mm。高さ = 1mm。長さ = 14mm。動作供給電圧 Max = 3.6 V。幅 = 6.1mm。LVDSトランシーバ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ECL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 8。ロジックタイプ = トランスレータmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -3mA。伝送 = LVPECL / LVDSからLVTTL。動作供給電圧 Max = 3.8 Vns。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。動作温度 Min = -40 ℃。ECLロジックレベルトランスレータ、ON Semiconductor. ECL、PECL、CML、LVDS、HSTL、HCSL、TTL、CMOSデバイスと接続する差動(ECL)ロジックレベルトランスレータ

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、シングルエンド。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。ピン数 = 6。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。NL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 8。ロジックタイプ = トランスレータmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -3mA。伝播遅延テスト条件 = 20pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.1 ns @ 20 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 3.6 V。動作温度 Min = -40 ℃。MC100EPT26 は、 1 ： 2 ファンアウト差動 LVPECL-LVTTL トランスレータです。LVPECL (正の ECL )レベルは +3.3V のみが使用されており、アースが必要です。EPT26 は、小型 8 リード SOIC パッケージと 1 ： 2 ファンアウト設計で、密にパックされた基板で信号の低スキュー複製を必要とする用途に最適です。VBB 出力により、 EPT26 をシングルエンド入力モードで使用することができます。このモードでは、 VBB 出力は非反転バッファの場合は D0bar 入力に、反転バッファの場合は D0 入力に結び付けられます。使用する場合は、 0.01 uF のコンデンサを使用して VBB ピンをアースにバイパスする必要があります。標準伝搬遅延： 1.4 ns 最大周波数>： 275 MHz (標準 100 シリーズは温度補償付きです 動作範囲： VCC = 3.0 → 3.6 V ( GND = 0 V 入力のデフォルト状態を開きます 入力の安全クランプ 24 mA TTL 出力 Q 出力は、入力がオープンまたは VEE VBB 出力の場合、デフォルトで LOW になります