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業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオード

バリスタ電圧 = 100V最大AC定格電圧 = 60V最大直流定格電圧 = 85V制限電圧 = 165Vクランプ電流 = 10A材料 = ZnOセラミックJシリーズ = VDRS直径 = 9mm最大サージ電流 = 1200A静電容量 = 700pF長さ = 35mm厚さ = 4.1mm寸法 = 9 Dia. x 4.1mmリード間隔 = 5mm

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 1600Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.46V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

シリーズ BFC2電圧 250V dc温度特性 PTFE実装タイプ スルーホール寸法 10 11 11mm奥行き 11mm高さ 11mm長さ 10mm最小静電容量 5pF動作温度 Min -40℃LNZ 4404. 080 調整可能なコンデンサ. 業務用コンデンサーで、調整デバイスが両面にあります。 小型測定アセンブリ用に開発され、高温での動作に特化して設計されています。 同調高周波回路の微調整が可能です。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 595A標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

バリスタ電圧 = 430V最大AC定格電圧 = 275V最大直流定格電圧 = 350V制限電圧 = 710Vクランプ電流 = 50Aエネルギー = 104Jシリーズ = VDRS直径 = 16.5mm最大サージ電流 = 4500A静電容量 = 440pF長さ = 35mm厚さ = 5.4mm寸法 = 16.5 Dia. x 5.4mmリード間隔 = 7.5mmVDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-8最大連続 順方向電流 = 150Aピーク逆繰返し電圧 = 800Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.47V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 3.1kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4最大連続 順方向電流 = 12Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.26V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280A標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-203AB最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.95V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 200nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A高速回復整流器(20 A超)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 800Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 70Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = スタッドアノード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.35V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.3kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4最大連続 順方向電流 = 12Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.26V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 280A標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

光度 = 10 mcd光源径 = 2.4mmシリーズ = VLMV3100LED色 = 赤順方向電圧 = 3 V順方向電流 = 10mA寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.75mm自動車規格 = AEC-Q101これらのデバイスは、表面実装技術の需要の増加に対応できるように設計されています。VLMV3100のパッケージはPLCC-3です。白色熱可塑樹脂に組み込まれているリードフレームで構成されています。このパッケージ内部のリフレクタには透明エポキシが充填されています。SMDデバイスは、赤と緑のチップで構成されています。このため、1つのデバイスで色を選択できます。超高輝度SMD LED 多色 光度による分類

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4最大連続 順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = スタッドアノード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 373A標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4最大連続 順方向電流 = 16Aピーク逆繰返し電圧 = 1200Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.23V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 370A標準リカバリ整流器 11 → 40 A. 業界標準のパッケージを採用した、汎用性の高い高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-5最大連続 順方向電流 = 85Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = スタッドカソード整流タイプ = 回復整流器ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.8kA標準リカバリー整流器 40 A 超. 業界標準のパッケージスタイルに適合する多用途・高効率の標準リカバリーパワーダイオードです。

バリスタ電圧 = 430V最大AC定格電圧 = 275V最大直流定格電圧 = 350V制限電圧 = 710Vクランプ電流 = 10A材料 = ZnOセラミックJシリーズ = VDRS直径 = 9mm最大サージ電流 = 1200A静電容量 = 140pF長さ = 35mm厚さ = 4.9mm寸法 = 9 Dia. x 4.9mmリード間隔 = 5mmVDR金属酸化物バリスタ(標準)特長 低β高純度酸化亜鉛ディスク ハロゲンフリー絶縁エポキシコーティング 酸化亜鉛ディスク、HFエポキシコーティング

IR LED

標準ツェナー電圧 = 68V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 3.7A最大ツェナーインピーダンス = 150Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.6 (Dia.) x 4.1mm動作温度 Max = +175 ℃ツェナーダイオード1.3 W、1N47xxAシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1300 mWパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 45mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 0.015%/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1300 mWパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 35mA最大ツェナーインピーダンス = 4Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 0.033%/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.07V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 15ns直径 = 3.6mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = Quadro MiniMelfツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 600Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = -0.05 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT55シリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = TO-247ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 16.4mm幅 = 5.16mm高さ = 21.3mm寸法 = 16.4 x 5.16 x 21.3mm超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay Semiconductor

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.85mm幅 = 1.7mm高さ = 1.25mm寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.25mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングルA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 1000Vパッケージタイプ = DO-219ABピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 2.9mm幅 = 1.9mm高さ = 1.08mm寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm自動車規格 = AEC-Q101表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 自動位置決めに最適

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2mV動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.57mm幅 = 3.94mm高さ = 2.24mm寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = MiniMELFピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = DO-213ABダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 5.2 x 2.67mm直径 = 2.67mmVishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-80ピン数 = 2ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンダイオードピン数 = 2

最大順方向電流 = 300mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 50Vパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンダイオードピン数 = 2

定格平均オン電流 = 50Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-65繰返しピーク逆方向電圧 = 1200Vサージ電流レーティング = 1490A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 100mA最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V最大保持電流 = 200mAピン数 = 2寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm繰返しピークオフステート電流 = 15mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 25Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-208AA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 440A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 90mA最大ゲートトリガー電圧 = 3V最大保持電流 = 130mAピン数 = 2寸法 = 15.5 x 14.3 x 41.7mmピークオンステージ電圧 = 1.7VVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 137V最小ブレークダウン電圧 = 95V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = 1.5KE最大逆スタンドオフ電圧 = 85.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 10.9AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mmテスト電流 = 1mATRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 209V最小ブレークダウン電圧 = 144V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 130Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 7.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 129A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm幅 = 9.1mmVishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 35.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信