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ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号:E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号:E54214 プリント基板に最適 標準 IR:0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類:コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース:WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子:銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性:本体に記載
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ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = DO-219AB。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.9mm。高さ = 1.08mm。寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm。自動車規格 = AEC-Q101。表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 自動位置決めに最適
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ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 800V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号:E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号:E54214 プリント基板に最適 標準 IR:0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類:コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース:WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子:銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性:本体に記載
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ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 50V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。高さ 5.6mm。UL認証(ファイル番号:E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号:E54214 プリント基板に最適 標準 IR:0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類:コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース:WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子:銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性:本体に記載
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ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-204AC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.7mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器
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ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 5.2 x 2.67mm。直径 = 2.67mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器
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ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 100V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。寸法 9.86 8.84 5.6mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号:E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号:E54214 プリント基板に最適 標準 IR:0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類:コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース:WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子:銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性:本体に記載
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ピーク平均順方向電流 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 600V。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ WOG。ピン数 4。回路構成 シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 50A。動作温度 Max +150 ℃。動作温度 Min -55 ℃。ピーク順方向電圧 1V。ピーク逆電流 5μA。長さ 9.86mm。幅 8.84mm。UL認証(ファイル番号:E54214 ). Vishay WxxGシリーズブリッジ整流器. UL認証(ファイル番号:E54214 プリント基板に最適 標準 IR:0.1 μA 以下 高絶縁耐力 高サージ電流耐性 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠 材料の分類:コンプライアンスの定義についてを参照. 用途 AC/DCブリッジ全波整流における汎用用途 電源、アダプター、充電器、照明用バラスター、家電製品などの用途. 機械データ ケース:WOG 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子:銀めっきリード、J-STD-002とJESD22-B102準拠のはんだ付け可能 極性:本体に記載
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
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ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DF-S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 8.51mm。幅 = 6.5mm。ULファイル番号E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 耐高サージ電流 低DC逆電流 自動位置決めに最適 基板(PCB)リフローはんだ付け
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
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方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
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ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン
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ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-219AD。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 550mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。超低プロファイル - 高さ0.65 mm (標準) 自動位置決めに最適 低順方向電圧降下、低電力損失 用途: 低電圧高周波インバータ、還流、DC-DCコンバータ、極性保護などの用途で使用
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1袋(100個)
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税込¥1,868
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実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AL。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 200ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
¥1,098
税込¥1,208
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ピーク平均順方向電流 = 4A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
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ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 950mV。ピーク逆電流 = 10μA。長さ = 30mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン
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1袋(2個)
¥849
税込¥934
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ピーク平均順方向電流 = 3.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GSIB-5S。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 10μA。寸法 = 30 x 4.6 x 20mm。幅 = 4.6mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,598
税込¥2,858
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方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 35.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル): 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信
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1袋(10個)
¥389
税込¥428
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方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル): 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥269
税込¥296
7日以内出荷
実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 60V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 750mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 40A。Vishay SS12-SS16 SMDショットキーバリア整流器. Vishay SS12-SS16 シリーズのショットキーバリア整流器は、SMA (DO-214AC)パッケージの低プロファイルデバイスです。 特長: 過電圧保護ガードリング 低順方向電圧降下 電力損失が低い 高効率 何に使用しますか? SS12-SS16ショットキーバリア整流器は、低電圧、高周波インバータ、還流、DC DCコンバータ、極性保護用途で使用するように設計されています。 動作温度範囲 -65 +150 種類: SS12 20 SS13 30 SS14 40 SS15 50 SS16 60 V
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1袋(5個)
¥239
税込¥263
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方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.3V。最小ブレークダウン電圧 = 6.67V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 6V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 58.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル): 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信
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1袋(25個)
¥999
税込¥1,099
7日以内出荷
方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル): 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥669
税込¥736
7日以内出荷
ピーク平均順方向電流 = 25A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。長さ = 28.8mm。幅 = 28.8mm。UL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号:E54214 ) 一般的な3種類の端子:スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR:0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性:最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース :GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 :ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例:GBPC12005W )。 極性 :マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク :最大 20 in・lbs
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay US1A-US1M SMD超高速高効率整流器. VishayのUS1A及びUS1Mシリーズは、超高速表面実装整流ダイオードです。小型の低プロファイルパッケージを特長とするこれらの整流器は、自動ピックアンドプレース装置で使用できます。. 特長と利点. US1A及びUS1M整流器は、つや消しスズめっきリードが特長(モデルに応じてJ-STD-002及びJESD 22 B-102準拠のはんだ付けに対応) カラーバンドでカソード端を表示 これらの整流器は、逆耐圧を強化して漏電リスクを低減できるガラス不動態化パレットチップジャンクションで構成 これらの整流ダイオードは、超高速の逆回復時間と低スイッチング損失により高効率 US1A及びUS1M整流器はMSL1 (耐湿性レベル1)に適合し、パッケージは堅牢で、リフロー中に高い耐湿性を発揮 高順方向サージの管理が可能. 用途. これらの整流器は、還流及び高周波の用途に適しています。また、コンピュータ、通信機器、家電製品のスイッチングモードインバータ及びコンバータに使用できます。 これらの整流器はAEC-Q101認定済みで、車載用途にも適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥349
税込¥384
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Vishay シリコンジャンクションダイオード: ES1A 、 ES1B 、 ES1C 、 ES1D. 特長 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化ペレットチップジャンクション 高効率の超高速リカバリ時間 低順方向電圧、低電力損失 高順方向サージ機能 MSL レベル 1 ( J-STD-020 、 LF 最大 Peak )に対応 ( 260 ° C ) AEC-Q101 認定済み - 自動車注文コード: P/NHE3 または P/NHM3 代表的な用途 高周波整流及びフリーホイーリングで使用します 用途には、のスイッチングモードコンバータ及びインバータがあります 民生機器、コンピュータ、自動車、通信 機械データ ケース: SMA ( DO-214AC ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード ベース P/N-M3-ハロゲン フリー、 RoHS 準拠、商用 グレード ベース P/NHE3_X - RoHS 準拠、 AEC-Q101 認定 ベース P/NHM3_X - ハロゲンフリー、 RoHS 準拠、および AEC-Q101認定 (「 _X 」はリビジョンコード(例: A 、 B 、 ... ) 端子: つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 末尾が E3 、 M3 、 HE3 、 HM3 は、 JESD 201 クラス 2 に適合します ウィスカ試験 極性: カラーバンドでカソード端を表示
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
¥1,698
税込¥1,868
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 400Vパッケージタイプ = DO-204ALピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 12pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 5.2mm寸法 = 2.7 (Dia.) x 5.2mm直径 = 2.7mm高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
¥1,198
税込¥1,318
翌々日出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204ALダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mmピーク逆回復時間 = 500ns動作温度 Min = -65 ℃高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,098
税込¥1,208
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214BAダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 4.75mm幅 = 2.9mm高さ = 2.74mmピーク逆回復時間 = 150ns寸法 = 2.74 x 4.75 x 2.9mm高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥679
税込¥747
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仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 24.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 3.94mmTRANSZORB(R)過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥279
税込¥307
7日以内出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 3.8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,798
税込¥1,978
7日以内出荷
仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm高さ = 18.8mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン
RoHS指令(10物質対応)対応
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¥1,798
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仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-204ALダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mmピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥569
税込¥626
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