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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(4個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥629
税込￥692
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥599
税込￥659
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥209
税込￥230
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥679
税込￥747
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥339
税込￥373
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥169
税込￥186
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥7,798
税込￥8,578
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 1.4mmPESD1CAN、CANバスESD保護ダイオード、Nexperia. PESD1CANは、小型のSOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、2つの車載コントローラエリアネットワーク(CAN)バスラインを静電気放電(ESD)やその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥669
税込￥736
6日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.05 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 0.85V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 mW標準ターンオフ遅延時間 = 45 nsNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥799
税込￥879
6日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥109
税込￥120
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥299
税込￥329
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V最低ゲートしきい値電圧 = 0.75V最大ゲート-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT23， TO-236AB実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = トレンチMOSFET最大パワー消費 = 6.94 W動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥62,980
税込￥69,278
7日以内出荷
仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥56,980
税込￥62,678
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥399
税込￥439
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 830 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 25 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥399
税込￥439
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥819
税込￥901
6日以内出荷
仕様ダイオード構成：シングル 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB) 、 ピン数：3 、 長さ：3mm 、 幅：1.4mm 、 高さ：1mm 、 動作温度 Min：-65 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
￥7,498
税込￥8,248
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：130 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧：50 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：10 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧：2V 、 最低ゲートしきい値電圧：0.8V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-23 (TO-236AB) 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：3 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：小信号 、 最大パワー消費：250 mW 、 動作温度 Min：-65 ℃
1リール(3000個)
￥17,980
税込￥19,778
7日以内出荷
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