「to-21」の検索結果

平型接続ターミナル

一斗缶用の被せ蓋です。 耐久性と耐食性に優れたステンレス製です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 26 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.9mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

31.5インチのIPSパネルを搭載、使いやすいフルHD(1920x1080)解像度に対応した液晶モニターです。上下左右178度に対応した高画質IPSパネルを搭載し、コンテンツを色鮮やかに映し出します。最大輝度250cd/m2の液晶パネルはsRGB:100%の広色域に対応し、動画や写真の編集に最適です。インターフェイスはHDMI1.4端子 x1(75Hz)、VGA端子 x1(75Hz)を搭載し、様々な機器との接続が可能です。VGA端子を搭載していますので以前から使用しているPCなどとの接続も可能です。長時間使用時に眼に優しいフリッカーフリー(ちらつき軽減)、ブルーライト軽減モードを搭載します。100x100mmのVESAマウントに対応しますので、別売りのモニターアームなどに使用が可能です。2Wx2のスピーカーを内蔵しております。本製品には2年間のメーカー保証が付きます。

検出スペクトル = 可視光。ピーク感度波長 = 565nm。パッケージタイプ = TO-5。実装タイプ = スルーホール実装。ピン数 = 2。ダイオード材質 = Si。最小検出波長 = 420nm。最大検出波長 = 675nm。長さ = 9.1mm。幅 = 9.1mm。高さ = 3.1mm。極性 = 順方向。BPW20 / BPW21シリーズフォトダイオード. Vishay Semiconductor製BPW20 / BPW21シリーズのシリコンフォトダイオードは、標準のTO-5パッケージに収納されています。ハーメチックシール構造のパッケージのBPW20 / BPW21は高精度のリニア用途に最適です。BPW20 / BPW21フォトダイオードに適した用途には、カメラ、光度計、カラーアナライザ、露出計の光測定用センサ、その他の一般的な医療 / 産業向けの測定 / 制御などがあります。. BPW20 / BPW21フォトダイオードの特長: フラットガラスレンズの付いたTO-5パッケージ 直径: 8.13 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 半輝度角度: 50 ° 低暗電流 高直線性

31.5インチのIPSパネルを搭載、使いやすいフルHD(1920x1080)解像度に対応した液晶モニターです。上下左右178度に対応した高画質IPSパネルを搭載し、コンテンツを色鮮やかに映し出します。最大輝度250cd/m2の液晶パネルはsRGB:100%の広色域に対応し、動画や写真の編集に最適です。昇降式多機能スタンドを搭載。最大115mmの範囲で高さ調節が可能です。また、右90度まで回転して縦画面でも使用できるピボット機能も装備します。インターフェイスはHDMI1.4端子 x1(75Hz)、VGA端子 x1(75Hz)を搭載し、様々な機器との接続が可能です。VGA端子を搭載していますので以前から使用しているPCなどとの接続も可能です。長時間使用時に眼に優しいフリッカーフリー(ちらつき軽減)、ブルーライト軽減モードを搭載します。100x100mmのVESAマウントに対応しますので、別売りのモニターアームなどに使用が可能です。2Wx2のスピーカーを内蔵しております。本製品には2年間のメーカー保証が付きます。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 10 A (連続)， 15 A (ピーク)。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。パッケージタイプ = TO-218。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。回路構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 20。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V dc。最大コレクタカットオフ電流 = 0.7mA。幅 = 4.9mm

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 8W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 金属箔。シリーズ = VPR221。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±5ppm/℃。リード間隔 = 2.54mm。高精度金属箔抵抗器 VPR221 シリーズ- TO-220 パッケージ. VPR221 シリーズの4 リード付高精度金属箔抵抗器は、小型TO-220 パッケージサイズです。VPR221 は抵抗素子に金属箔抵抗体を使用するため、高い安定性、厳格な許容差、高速な応答時間を実現しています。さらに、 VPR221 抵抗器は、 100R 以下の抵抗値を必要とする精密機器に適しています。

アクセサリタイプ = 留めばね。スナップイントランジスタホルダスプリングです. ユニバーサルスナップイントランジスタホルダスプリングは、最大 218 、 220 、 TO-247 、 H.264 タイプのトランジスタスタイルハウジングに対応しています ヒートシンクで特殊なフルート形状を使用すると、組み立てが簡単でしっかりとしたグリップが得られます コンポーネントと冷却エレメント間の最大熱伝達

TO-220 用の RS Pro ヒートシンクトランジスタスプリングクリップですトランジスタに取り付けタブがない場合は、この RS Pro トランジスタスプリングクリップに垂直取り付けヒートシンクを使用します。このクリップは一元的に最大 7.5 kg の強力な圧力を発揮するため、ヒートシンクはより多くの熱を外部環境に伝達でき、デバイスの温度を可能な限り低く保つことができます。 この亜鉛めっきヒートシンクトランジスタスプリングクリップは、腐食に強い透明不動態化仕上げとなっています。ヒートシンクパネルやパッドの厚さに合わせて使用できるため、この丈夫なクリップは汎用性に優れています。TO220 、 TO218 、 TO247 、 TO3P などのパワートランジスタを単一の固定ポイントとして機能します。 2 つのトランジスタに使用できる丸穴は 1 つだけです。ヒートシンクは、コンピュータの CPU などの電気機器に使用されている受動的な金属部品で、過熱を防止します。RS Pro 製品に含まれているこのクリップは、耐久性についてテスト済みです。特長と利点ヒートシンク・トランジスタ・スプリング・クリップ TO-220 、 TO218 、 TO247 、 TO3P 用 絶縁電圧： 1000 V EU 指令 2011/65/EU および 2015/863 の安全性に準拠しています ANSI/ESD S20.20 ： 2014 に適合する条件下で処理及び梱包 及び BS EN61340-5-1 ： 2007 の品質と仕様に準拠した静電制御基準です 安全性RS PRORS PROはメーカー独自のブランドで、選択肢を増やすために、高品質で価値の高い製品を幅広く提供しています。世界中のエンジニアから信頼を得ており、すべての RS Pro 製品は厳しい業界標準に対して厳しくテストされています 卓越した品質に自信を持っている場合のみ、 RS Pro 承認ラベルが付与されます。つまり、自信を持って作業できるということです。

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.5V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-215AA。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm。テスト電流 = 10mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 214 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor