ローム Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン ROHM - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

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2026/06/06 06:05:17

RD3P130SPTL1 ローム Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン ROHM 02669278

ROHM
ローム Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

7日出荷とは

5月24日より値下げいたしました。

注文コード	02669278
品番	RD3P130SPTL1
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥2,498

仕様:	●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： RD3P130SP●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 230 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 20 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 2.3mm●RD3P130SPは、スイッチング用途に適した、低オン抵抗のパワーMOSFETです。低オン抵抗高速スイッチング速度駆動回路を簡素化可能並列使用が容易鉛フリーめっき
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： RD3P130SP●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 230 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 20 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 2.3mm●RD3P130SPは、スイッチング用途に適した、低オン抵抗のパワーMOSFETです。低オン抵抗高速スイッチング速度駆動回路を簡素化可能並列使用が容易鉛フリーめっき

RoHS指令(10物質対応):

対応